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APTGV30H60T3G

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Teilenummer
APTGV30H60T3G
Hersteller
Microsemi
Beschreibung
IGBT NPT BST CHOP FULL BRDG SP3
Bleifreier Status / RoHS Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
APTGV30H60T3G-1.pdfAPTGV30H60T3G-2.pdf
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Produktparameter

Teilenummer
-
Hersteller
Microsemi
Beschreibung
IGBT NPT BST CHOP FULL BRDG SP3
Datenblatt
APTGV30H60T3G-1.pdfAPTGV30H60T3G-2.pdf
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)
600V
VCE (on) (Max) @ Vge, Ic
1.9V @ 15V, 30A
Supplier Device-Gehäuse
SP3
Serie
-
Leistung - max
90W
Verpackung / Gehäuse
SP3
Betriebstemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
NTC-Thermistor
Yes
Befestigungsart
Chassis Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status
Lead free / RoHS Compliant
Eingangskapazität (Cíes) @ VCE
1.6nF @ 25V
Eingang
Standard
IGBT-Typ
NPT, Trench Field Stop
detaillierte Beschreibung
IGBT Module NPT, Trench Field Stop Full Bridge Inverter 600V 50A 90W Chassis Mount SP3
Strom - Collector Cutoff (Max)
250µA
Strom - Kollektor (Ic) (max)
50A
Konfiguration
Full Bridge Inverter

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